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Didier GOGUENHEIM

Directeur Général, Activité Micro & Nanotechnologies
Campus : Toulon

Researcher ID : B-3488-2019
Campus : Toulon

+ 33 4 94 03 89 55 / + 33 6 27 71 89 32
didier.goguenheim@yncrea.fr

Einstein tout le monde le connait, mais la relativité générale a très peu changé la vie des gens. Par contre, lorsqu’au fond d’un laboratoire, un chercheur a réussi à stabiliser la technologie MOS*, cela a changé la vie de milliards d’individus

Cœur de métier

Si Didier Goguenheim est entré dans une école d’ingénieurs, c’est parce que la recherche l’a fait rêver. Didier rejoint l’ISEN d’abord en tant qu’enseignant-chercheur, puis directeur de recherche pendant une dizaine d’années. Il travaille sur la physique des semi-conducteurs et des composants électroniques, thématiques qui en contrepartie de leur austérité à priori, invitent à travailler sur les technologies les plus avancées. Aujourd’hui directeur général, Didier ne mène pratiquement plus d’activités de recherche, faute de temps. Cependant, c’est avec grand plaisir qu’il envisage un futur où il s’y consacrerait de nouveau. A sa mission de gestion de l’établissement, s’ajoute une préoccupation de premier plan. Il veille à la qualité de la formation des élèves-ingénieurs, à leur indispensable exposition au monde de la recherche par le biais des enseignements à l’école mais également à l’occasion de leurs stages au sein des entreprises qui les recruteront une fois diplômés.

Prospective

A l’heure actuelle, le travail des équipes s’exprime pleinement au sein de cet écosystème que constituent les « réseaux académiques ». Ils permettent, entre autres, d’échanger à l’échelle mondiale sur les résultats de recherche, de gagner en réactivité et de valoriser la composante collaborative de cette démarche. Face aux défis sociétaux gigantesques, la fonction de chercheur est porteuse d’espoir, elle joue un rôle majeur dans l’apport de solutions potentielles en faveur de l’Humanité.

360°

En 2000, Didier Goguenheim participe aux côtés de Michel Lannoo, son directeur de thèse, à la création de l’IN2MP, l’Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence. A ce laboratoire, s’ajoutent nombre de structures avec lesquelles Didier établit des partenariats au fil du temps, dans son domaine d’expertise mais également dans d’autres, dont la micro-électronique. L’idée est de développer les « réseaux académiques », en construisant de solides liens entre chercheurs, industriels, unités de recherche et universités reconnues

Domaines d'expertise

  • Physique des semiconducteurs et des composants
  • Technologies quantiques

Activités de recherche et développement

  • Fiabilité des composants et technologies submicroniques
  • Défauts dans les structures MOS
  • Caractérisation électrique de couches isolantes ultra-minces

Liens

IM2NP UMR CNRS 7334
https://www.im2np.fr

i

Publications

[1.] Theoretical and experimental aspects of the thermal dependence of electron capture coefficients.
D.GOGUENHEIM, M.LANNOO,
J.Appl.Phys., 68 (3), p.1059, 1990 

[2.] Accurate measurements of capture cross sections of semiconductor insulator interface states by a trap filling experiment: the charge potential feed-back effect.
GOGUENHEIM, D. VUILLAUME, G. VINCENT, N.M. JOHNSON,
Appl. Phys., 68(3), p. 1104, 1990. 

[3.] Theoretical study of carrier capture assisted by phonons: application to the EL2, E3, A and B defects in GaAs.
D.GOGUENHEIM, M.LANNOO
Proc. of the International Conference on the Physics of Semiconductors ICPS 20, Thessalonique GRECE, 6-10 août 1990
Vol.1, p.453, édité par E.M.ANASTASSAKIS et J.D.JOANNOPOULOS
World Scientific Publishing Co.Pte.Ltd. (Singapour, 1990) 

[4.] New insights on the electronic properties of the trivalent silicon defects at oxidized <100> silicon surfaces.
VUILLAUME, D. GOGUENHEIM, G. VINCENT,
Appl. Phys. Lett., 57-(12), p. 1206, 1990. 

[5.] Nature of the Defects generated by electric field stress at the Si-SiO2 interface.
VUILLAUME, D. GOGUENHEIM, J.C. BOURGOIN,
Appl. Phys. Lett., 58-(5), p. 490, 1991. 

[6.] Theoretical calculation of the capture cross section of the dangling bond at the Si-SiO2 interface.
D.GOGUENHEIM, M.LANNOO
Phys.Rev. B44 (4), p.1724, 1991 

[7.] Defects induced by high electric field stress and the trivalent silicon defects at the Si/SiO2 interface.
VUILLAUME, A. MIR, D. GOGUENHEIM,
In « Defects in semiconductors »,  » Ed. G.Davies, G.G.Delmeo and M.Stavola, Trans. Tech. Publications),
Materials Science Forum, Vols. 83-87, p. 1427, 1991. 

[8.] Re-examination of the configuration coordinate diagram of EL2.
D.GOGUENHEIM, D.STIEVENARD, G.GUILLOT
Proc. of the International Conference on Defects in Semiconductors ICDS 16, Bethlehem USA, Juillet 1991,
Materials Science Forum Vol.83-87, p.917-922, 1992
édité par G.DAVIES, G.G.DELEO, M.STAVOLA, Trans Tech Publications Ltd., 1992 

[9.] Octadecyltrichlorosilane monolayers as ultrathin gate insulating films in metal-insulator-semiconductor devices.
FONTAINE, D. GOGUENHEIM, D. DERESMES, D. VUILLAUME, M. GARRET, F. RONDELEZ,
Appl. Phys. Lett. 62(18), p. 2256, 1993. 

[10.] Bravaix A., Vuillaume D., Goguenheim D., Dorval D., Haond M.
Improved Hot-Carrier immunity of P-MOSFET’s with 8nm-thick nitrided gate-oxide during bidirectional stressing.
Microelectronic Engineering,
vol. 28, p.273-276, 1995 

[11.] Vuillaume D., Bravaix A., Goguenheim D., Marchetaux J.C., Boudou A.
Comment on « Hot-Hole induced negative oxide charges in N-MOSFET’s ».
IEEE Trans. on Electron Devices,
vol. 43 (9), p 1473, 1996 

[12.] Goguenheim D., Bravaix A., Vuillaume D., Mondon F., Candelier Ph., Jourdain M., Meinertzhagen A.
A coupled I(V) and Charge-Pumping analysis of Stress Induced Leakage Currents in 5nm-thick gate oxides.
Microelectronic Engineering,
vol. 36, p. 141-144, 1997 

[13.] Bravaix A., Goguenheim D., Vuillaume D., Revil N., Varrot M., Mortini P.
Influences of the different degradation mechanisms in AC stressed P-MOSFET’s during Pass-transistor operation.
Microelectronic Engineering,
vol. 36, p.305-308, 1997

[14.] Goguenheim D., Bravaix A., Vuillaume D, Varrot M., Revil N., Mortini P.
Hot carrier reliability in n-MOSFET’s used as pass-transistor.
Microelectronics Reliability,
vol. 38, no.4, p. 539-544,1998 

[15.] Vuillaume D., Bravaix A., Goguenheim D..
Hot Carrier injections in SiO2.
Microelectronics Reliability,
vol. 38, no.1, p. 7-22, 1998 

[16.] Bravaix A., Goguenheim D., Revil N., Vincent E., Varrot M., Mortini P.
Analysis of high temperature effects on performances and hot-carrier degradation in DC/AC stressed 0.35µm n-MOSFET’s.
Microelectronics Reliability,
vol.39, n°1, p. 35-44, 1999 

[17.] Goguenheim D., Bravaix A., Vuillaume D., Mondon F., Candelier Ph., Jourdain M. and Meinertzhagen A.
Experimental study of the Quasi-Breakdown failure mechanism in 4.5 nm-thick SiO2 oxides.
Microelectronics Reliability,
vol. 39, p. 165-169, 1999 

[18.] Meinertzhagen A., Petit C., Jourdain M., Mondon F., and Goguenheim D.
On positive charge annihilation and stress-induced leakage current decrease.
Microelectronics Reliability,
vol. 39, p.191-196, 1999 

[19.] Goguenheim D., Bravaix A., Vuillaume D., Mondon F., Jourdain M. and  Meinertzhagen A.
Stress Induced Leakage Currents in N-MOSFET’s submitted to Channel Hot Carrier Injections.
Journal of Non-Crystalline Solids,
vol. 245, p. 41-47, 1999 

[20.] Bravaix A., Goguenheim D., Vincent E., Revil N.
Turn-around effects during dynamic operations in 0.25µm Cmos technology from low to high temperature.
Microelectronic Engineering,
vol. 48, p. 163-166, 1999 

[21.] Goguenheim D., Bravaix A., Moragues J.M., Lambert P., Boivin P.
Comparison of oxide leakage currents induced by ion implantation and high field electric stress.
Microelectronics and Reliability,
vol. 40, p. 751-754, 2000 

[22.] Pic N., Glachant A., Nitsche S., Hoarau J.Y., Goguenheim D., Vuillaume D., Sibai A., Chaneliere C.
Determination of the electrical properties of thermally grown ultrathin nitride films.
Microelectronics and Reliability,
vol. 40, p. 589-593, 2000 

[23.] Goguenheim D, Bravaix A, Monserie C., J.M.Moragues, P.Lambert, P.Boivin
Comparison of oxide leakage currents induced by ion implantation and high field electric stress.
Solid State Electronics,
Vol. 45 (8) p.1355-1360, 2001

[24.] Pic N., Glachant A., Nitsche S., Hoarau J.Y., Goguenheim D., Vuillaume D., Sibai A., Chaneliere C.
Determination of the electrical properties of thermally grown ultrathin nitride films.
Solid State Electronics,
Vol. 45 (8) p.1265-1270, 2001 

[25.] Goguenheim D., Bravaix A., Ananou B., Trapes C., Mondon F., Reimbold G.
Temperature and field dependence of stress induced leakage currents in very thin gate oxides.
Journal of Non-Crystalline Solids,
vol. 280, p.78-85, 2001 

[26.] Pic N., Glachant A., Nitsche S., Hoarau J.Y., Goguenheim D., Vuillaume D., Sibai A., Autran J.L.
Determination of the electrical properties of ultrathin silicon-based dielectric films : thermally grown SiOX.
Journal of Non-Crystalline Solids,
Vol. 280 (1-3) p.69-77, 2001 

[27.] Bravaix A., Goguenheim D., Revil N., Vincent E.
Hot-Carrier Reliability study of Second and First Impact Ionization degradation in 0.15µm Channel-Length N-MOSFET’s ».
Microelectronics Engineering,
vol. 59, p. 101-108, 2001 

[28.] Bravaix A., Goguenheim D., Revil N., Vincent E.
Injection Mechanisms and Lifetime prediction With the Substrate Voltage in 0.15µm Channel-Length N-MOSFET’s
Microelectronics and Reliability,
vol. 41, p. 1313-1318, 2001 

[29.] Goguenheim D., Trapes C., Bravaix A.
Comparison of degradation modes in 1.2-2.1 nm thick oxides submitted to uniform and hot carrier injections in NMOSFETS.
Journal of Non-Crystalline Solids,
vol. 322, p.183-190, 2003 

[30.] Trapes C., Bravaix A., Goguenheim D.,
Impact of carrier injection in 2.2nm-thick SiO2 oxides after first and substrate enhanced electron injection.
Journal of Non-Crystalline Solids,
vol. 322, p.199-205, 2003 

[31.] Bravaix A., Goguenheim D., Revil ., Rubaldo L.
Efficiency of interface trap generation under hole injection in 2.1nm thick gate-oxide P-MOSFET’s.
Journal of Non-Crystalline Solids,
vol. 322, p.139-146, 2003 

[32.] Bescond M., Lannoo M., Goguenheim D., Autran J.L.
Towards a full microscopic approach to the modeling of Nanotransistors.
Journal of Non-Crystalline Solids,
vol. 322, p.160-167, 2003 

[33.] Bravaix A., Trapes C., Goguenheim D., Revil N., Vincent E.
Carrier injection efficiency for the reliability study of  3.5-1.2nm thick gate-oxide CMOS technologies
Microelectronics Reliability,
vol. 43, p. 1241-1246, 2003 

[34.] Bravaix A., Goguenheim D., Revil N., Vincent E.
« Deep Hole Trapping Effects in the Degradation mechanisms of 6.5 to 2nm thick gate-oxide PMOSFETs”,
Microelectronics Engineering,
Vol. 72/1-4, p. 106-111, 2004. 

[35.] Bravaix A., Goguenheim D., Revil N., Vincent E.,
« Hole Injection Enhanced Hot-Carrier Degradation in PMOSFETs used for System On Chip applications with 6.5-2nm thick gate-oxide”,
Microelectronics Reliability,
Vol. 44 N°1, p. 65-77, 2004.

[36.] Goguenheim D., Bravaix A., Gomri S., Moragues J.M., Monserie C., Legrand N., Boivin P.,
« Impact of Wafer Charging on Hot Carrier reliability and optimization of latent damage detection methodology in advanced CMOS technologies »,
Microelectronics Reliability, 2005, 45, 487-492. 

[37.]  Trapes C., Goguenheim D., Bravaix A.,
« Experimental extraction of degradation parameters after Constant Voltage Stress and Substrate Hot Electron Injection on Ultrathin oxides »,
Microelectronics Reliability, 2005, 45, 883-886.

[38.] Trapes C., Goguenheim D., Bravaix A.,
Ultrathin oxide reliability after combined Constant Voltage Stress and Substrate Hot Electron Injection,
Journal of Non-Crystalline Solids,
Vol. 351, Issue 21-23, p. 1860-1865, 2005 

[39.] Menou N., Castagnos A.M., Muller C., Goguenheim D., Goux L., Wouters D.J., Hodeau J.L., Dooryhee E., Barrett R.,
« Degradation and recovery of polarization under synchrotron X-rays in SrBi2Ta2O9 ferroelectric capacitors” ,
J.Appl.Phys. 97, p. 044106, 2005. 

[40.] Bravaix A., Goguenheim D., Huard V., Denais M., Parthasarathy C., Perrier F., Revil N., Vincent E.
« Impacts of the Recovery Phenomena on the Worst-Case of Damage in DC/AC stressed Ultra-thin NO gate-Oxide MOSFETs »
Microelectronics Reliability,
Vol. 45 Issue 9-11, pp. 1370-1375, 2005.

[41.] Pic D., Ogier J.L., Goguenheim D.,
A comprehensive study of Stress Induced Leakage Current using a floating gate structure for direct applications in EEPROM memories
Microelectronics Reliability, 2007, Vol. 47, p. 1322-1329. 

[42.] Goguenheim D., Pic D., Ogier J.L.
Oxide reliability below 3nm for advanced CMOS : issues, characterization and solutions
Microelectronics Reliability, 2007, Vol. 47, p. 1373-1377. 

[43.] Pic D., Ogier J.L., Goguenheim D.
Assessment of temperature and voltage accelerating factors for 2.3–3.2 nm SiO2 thin oxides stressed to hard breakdown

Microelectronics Reliability, 2008, vol. 48, n°3, p. 335-341.
doi:10.1016/j.microrel.2007.08.006 

[44.]  Courtade L., Turquat Ch., Muller Ch., Lisoni J.G., Goux L., Wouters D.J., Goguenheim D., Roussel P., Ortega L.
Oxidation kinetics of Ni metallic films: formation of NiO-based resistive switching structures
Thin Solid Films, 2008, Vol. 516, n°12, p. 4083-4092.
doi:10.1016 /j.tsf.2007.09.050 

[45.]  Pic D., Regnier A., Pean V., Ogier J.L., Goguenheim D.
Dynamic stress method for accurate NVM oxide robustness evaluation for automotive applications
Microelectronics Reliability, 2008, vol. 48 (8-9), p. 1318-1321.
doi: 10.1016/j.microrel.2008.07.050 

[46.] Bénard C., Math G., Fornara P., Ogier J.L., Goguenheim D.
« Influence of various process steps on the reliability of PMOSFETs submitted to Negative Bias Temperature Instabilities »
Microelectronics Reliability, Vol. 49 (9-11), pp. 1008–1012, 2009.
DOI : 10.1016/j.microrel.2009.06.022

 [47.] Desbief S., Patrone L., Goguenheim D., Guérin D., Vuillaume D.
« Impact of chain length, temperature, and humidity on the growth of long alkyltrichlorosilane self-assembled monolayers »
Phys. Chem. Chem. Phys., Vol. 13, pp. 2870-2879, 2011.
DOI : 10.1039/C0CP01382J, 2011. 

[48.] Delafosse G., Patrone L., Goguenheim D.
« Functionalization of silicon dioxide surface with 3-aminopropyltrimethoxysilane for fullerene C60 immobilization »
Nanoscience Nanotechnology, Vol. 11, pp. 9310-9315, 2011.
DOI:10.1166/jnn.2011.4289, 2011. 

[49.] Desbief S., Patrone L., Goguenheim D., Vuillaume D.
« Different types of phase separation in binary monolayers of long chain alkyltrichlorosilanes on silicon oxide »
RSC Adv., Vol. 2, pp. 3014-3024, 2012.
DOI:10.1039/C2RA01327D, 2012. 

[50.] Forni C.; Mainard O.; Melon C.; Goguenheim D. ; Golf LKL ; Salin P.
« Portable microstimulator for chronic deep brain stimulation in freely moving rats »
JOURNAL OF NEUROSCIENCE METHODS, Volume: ‏ 209Issue: ‏pp.50-57, ‏.2012 

[51.] Delafosse G., Patrone L., Goguenheim D.
« Dry and Wet Functionalization of Silicon Dioxide Surface with 3-Aminopropylmethoxysilane: Application to Fullerene C60 Anchoring »
Int. J. Nanotechnology, Vol. 9, pp. 312-324, 2012.
DOI: 10.1504/IJNT.2012.045336, 2012.

[52.] Carmona M., Rebuffat B., Delalleau J., Gagliano O., Lopez L., Ogier J.-L., Goguenheim D.
MOSFET layout modifications for hump effect removal
Microelectronic Engineering. September 2013 pp.109:168-171
DOI: 10.1016/j.mee.2013.03.109

Activités d'enseignement

  • Enseignements cycle ingénieur ISEN :

Mécanique Quantique, Physique du solide, des semiconducteurs et des composants, Théorie quantique de l’information 

  • DEA Systèmes complexes / Master MINELEC (Aix-Marseille Université) (2000-2012)

Modélisation électrique de composants intégrés bipolaires
Electronique moléculaire , Introduction à la théorie quantique de l’information  

  • Mastère de Microélectronique TMPM, STUniversity (1998-2008)

Electrical Modeling of MOS and Bipolar Devices

  • DESS M2Tech / Master NAMISYS (Université de Toulon, 2004-2010)

Caractérisation électrique et fiabilité des composants

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Autres informations

Aime l’histoire, les échecs, le sport, le cinéma…